物理缺陷物理缺陷是可以直接看到的形貌异常。颗粒污染最常见，微小粉尘落在晶圆上，经过刻蚀或沉积后变成永久缺陷。图形异常包括线条桥接、断线、缺角，多由光刻或刻蚀工艺波动引起。还有划伤、残留物、结晶缺陷等，形态各异。电性缺陷电性缺陷隐蔽得多。芯片内部某处开路或短路，表面形貌可能完全正常，但电路功能失效。这类缺陷靠光学手段难以发现，需要电子束检测设备利用电压对比效应识别——带电状态不同的区域在电子束下
产品定位PanGenSim是东方晶源的严格光刻仿真软件。“严格”二字在光学领域有特定含义：基于严格的电磁场理论求解光刻过程中的光学成像，而不是用简化模型近似。它回答的是光刻仿真中最较真的一类问题。什么场景需要严格仿真常规OPC仿真用紧凑模型，速度快，满足量产需求。但在一些边界场景——比如新型掩模结构、三维掩模效应显著的情形、模型标定前的机理研究——简化模型的精度不够。严格仿真从麦克斯韦方程出发