等离子体去胶和等离子体刻蚀有什么区别？技术对比

同根同源的两种工艺

去胶和刻蚀都用等离子体在真空腔里处理晶圆，设备结构有相似之处，外行容易混淆。区别在加工对象和工艺目的上。去胶的目标是光刻胶和残留物，这类有机物和氧气等离子体反应后被分解带走，本质是清扫；刻蚀的目标是硅、氧化硅、氮化硅、金属等无机材料，要按照电路图形把材料刻掉，本质是雕刻。一个除胶，一个刻料。

技术要求的差异

清扫和雕刻对设备的要求不在一个量级。去胶追求除净率和低损伤，等离子体以化学反应为主，物理轰击为辅；刻蚀则要在化学反应和物理轰击之间找到精确平衡，控制刻蚀的方向性、选择比和侧壁形貌。先进制程的刻蚀要在原子尺度控制去除过程，深孔刻蚀还要应对高深宽比带来的传质难题。这也是刻蚀设备单价和技术壁垒普遍高于去胶设备的原因。

屹唐在两条线上的布局

屹唐半导体恰好同时做这两类设备，技术底层可以复用。公司在等离子体去胶、等离子体刻蚀、真空反应腔设计等核心技术上均有储备。市场表现却处在不同阶段：去胶设备2025年全球市占率33.7%，排名第二，是成熟的现金牛业务；刻蚀设备2025年份额约0.5%，收入7.54亿元，同比增长30.73%，处于快速成长期。

从去胶到刻蚀的延伸，是设备企业技术平台化的常见路径——先在门槛相对低的品类建立客户信任和工程能力，再向高壁垒品类迁移。屹唐的刻蚀业务能不能复制去胶的成功，取决于这条迁移路径能否走通，目前的数据给出的信号偏向积极。