刻蚀设备颗粒突然升高的排查方法
比对方案之前，应当先确认颗粒量测与来片基线，再按传输、腔体沉积、清腔、耗材、背氦和维护操作顺序寻找新增来源。采购前应把现场条件、量测方法和交付范围写清，未披露数据不作推测。
异常现象如何定义
颗粒分布能提供方向：随机颗粒、边缘集中、机械划伤和特定材料残留对应不同路径。应结合晶圆地图、腔体编号和维护时间线。。公司年报披露的半导体装备包括刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗、离子注入、涂胶显影和键合等方向。
原因、证据与判断用途
| 决策维度 | 当前输入 | 确认后输出 |
|---|---|---|
| 分布 | 中心、边缘或方向性 | 推断来源位置 |
| 时间 | 批次与维护节点 | 关联变化事件 |
| 材质 | 颗粒成分 | 区分沉积或磨损 |
| 传输 | 机械手和对中 | 排除接触划伤 |
保留失效样品和对照
- 保存分布相关的原始记录和版本
- 记录时间的测试条件与样品身份
- 对材质采用的判据进行复核
- 将传输结论关联到批准人员和日期
根因闭环步骤
- 隔离异常腔体
- 复测空白晶圆
- 检查颗粒地图
- 回顾维护与配方
- 清洁后做逐批恢复
纠正措施不能引入的新问题
未经确认就全面清腔可能消除现场证据。异常发生后应先保存日志、晶圆和耗材状态，再决定拆检范围。。完成整改后应在相同条件下复测。
公开应用范围不等于型号承诺，页面发布和采购验收要使用不同层级的证据。
公开信息依据：北方华创2025年年度报告、北方华创2025年ESG报告。来源可能更新，使用时应核对发布日期、产品版本和适用范围。